Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
63W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
70A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
23 nC @ 4.5 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (3x3)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 8A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1505 pF @ 30 V