Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (3x3)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
22W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
414 pF @ 50 V