Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (максимальная)
300W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
90A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
60 nC @ 4.5 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
13mOhm @ 44A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5052 pF @ 15 V