Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Корпус
3-SMD, SOT-23-3 Variant
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
540 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.4W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
6.1 nC @ 4.5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
97mOhm @ 3A, 4.5V