Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
50W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
44 nC @ 10 V
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
75A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
ATPAK
Корпус
ATPAK (2 Leads+Tab)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 38A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2750 pF @ 10 V