CBR08P65D
CBR08P65D
CBR08P65D CBR08P65D
Номер детали:
CBR08P65D
Категория:
-
Производитель:
Описание:
DIODE SIL CARB 650V 29A TO2522L
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
13
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$3.26
$3.26
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Емкость при Vr, Ф
-
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.7 V @ 8 A
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Ток - Средний выпрямленный (Io)
29A
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Ток - Обратная утечка при Vr
25 µA @ 650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252-2L
Новейшие продукты
F1M
F1M
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.3V@1A 500NS 1A 1KV SOD-123FL
SS34F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
40V INDEPENDENT TYPE 3A 550MV@3A
US1DF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1V@1A 50NS INDEPENDENT TYPE 1A 2
ES3JBF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
3A 600V SMBF
ES2GB
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.25V@2A 35NS 2A 400V SMB(DO-214
LL60P
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
25V 100MA 600MV@30MA LL-34
US2MF
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
1.65V@2A 75NS INDEPENDENT TYPE 2
SS310F
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
100V INDEPENDENT TYPE 3A 850MV@3