CGD65B130S2-T13
Номер запчасти
CGD65B130S2-T13
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Cambridge GaN Devices
Описание
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
6455
Состояние RoHS
NO
PDF：
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$7.95
$7.95
10
$5.38
$53.8
100
$4.04
$404
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Тип полевого транзистора
-
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Корпус
8-PowerVDFN
FET Особенности
Current Sensing
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.2V @ 4.2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2.3 nC @ 12 V
Vgs (макс.)
+20V, -1V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
9V, 20V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканировать QR-код для мобильных