Тип монтажа
Surface Mount
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
50 V
Ток отсечки коллектора (макс.)
500nA
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Резисторы включены
R1 and R2
Резистор - База (R1)
47 kOhms
Резистор - База Эмиттера (R2)
47 kOhms
Мощность - Максимальная
200 mW
Ток коллектора (Ic) (макс.)
30 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Частота - Переход
250 MHz
Поставщик Устройство Корпус
UMT3