Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
Die
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
160mOhm @ 500mA, 5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
0.48 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
55 pF @ 50 V