Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Напряжение сток-исток (Vdss)
30V
Корпус
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.6V @ 1mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
490pF @ 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
37mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
9.1nC @ 10V
FET Особенности
Logic Level Gate, 4V Drive
Мощность - Максимальная
2.2W (Ta)