GPI65060DFN
Номер запчасти
GPI65060DFN
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
GaNPower
Описание
GANFET N-CH 650V 60A DFN8X8
Пакет
Tape & Reel (TR)
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 0
Количество
Цены
Общая стоимость
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Vgs (макс.)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16 nC @ 6 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
420 pF @ 400 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP