Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.3 nC @ 5 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 100µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
400mOhm @ 100mA, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
290 pF @ 28 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
50W (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 225°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
8-CDIP-EP
Корпус
8-CDIP Exposed Pad