Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
560mA (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 340mA, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
340 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
4-HVMDIP
Корпус
4-DIP (0.300", 7.62mm)