Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
18 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
390 pF @ 25 V
Поставщик Устройство Корпус
DPAK
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.5W (Ta), 42W (Tc)