MII100-12A3

Главная страница Продуктовый центр Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы БТИЗ БТИЗ-модули

MII100-12A3

Номер запчасти

MII100-12A3

Классификация продуктов

БТИЗ-модули

Производитель

IXYS

Описание

IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

Пакет

Bulk

Упаковка

Количество

1600

Состояние RoHS

PDF：

Запрос цены

Запасы

base.lang_mini : 0

Количество

Цены

Общая стоимость

Параметры продукции

Статус детали

Obsolete

Тип монтажа

Chassis Mount

Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)

1200 V

Рабочая температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Конфигурация

Half Bridge

输入

Standard

NTC Термистор

IGBT Тип

NPT

Ток коллектора (Ic) (макс.)

135 A

Мощность - Максимальная

560 W

Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

Ток отсечки коллектора (макс.)

5 mA

Входная емкость (Cies) при Vce

5.5 nF @ 25 V

Корпус

Y4-M5

Поставщик Устройство Корпус

Y4-M5

Новейшие продукты

Infineon Technologies

IRGTI090U06

IGBT MOD 600V 90A 298W INT-A-PAK

Узнать больше