Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Конфигурация
N and P-Channel
FET Особенности
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток (Vdss)
60V
Поставщик Устройство Корпус
SuperSOT™-6
Корпус
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2Ohm @ 510mA, 10V
Мощность - Максимальная
700mW
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
510mA, 340mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
20pF @ 25V, 66pF @ 25V