Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
225mW (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
330 pF @ 10 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
6.6 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
3.3V, 4.5V