Тип монтажа
Surface Mount
Ток коллектора (Ic) (макс.)
100 mA
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
50 V
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ток отсечки коллектора (макс.)
500nA
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Резисторы включены
R1 and R2
Резистор - База (R1)
47 kOhms
Резистор - База Эмиттера (R2)
47 kOhms
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Частота - Переход
150 MHz
Мощность - Максимальная
200 mW
Поставщик Устройство Корпус
Mini3-G1