Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
71 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3789 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
73.5W