Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
13.6A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
40.6 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1006 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
65.7W