Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Поставщик Устройство Корпус
8-SO
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.5W (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28 nC @ 4.5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
18.5A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2720 pF @ 15 V