Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-220-3 Full Pack
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
44.8 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-220CFM
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2048 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.92W (Ta), 34.7W (Tc)