Статус детали
Last Time Buy
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
850 pF @ 25 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
17A (Tc)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
25W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12.5 nC @ 4.5 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
52mOhm @ 8A, 10V