Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
21A (Tj)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
28W (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
60mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.6V @ 16mA (Typ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1200 pF @ 1000 V