Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
5A (Ta)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Мощность - Максимальная
400mW (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.4V @ 640µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
23nC @ 4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2440pF @ 10V
Поставщик Устройство Корпус
4-CSP (1.74x1.74)