2301
零件编号：
2301
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
3886
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.36
$0.36
10
$0.22
$2.2
100
$0.14
$14
500
$0.1
$50
1000
$0.09
$90
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
场效应晶体管类型
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
最大栅源电压
±12V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3A (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
最大功耗
1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
900mV @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
640 pF @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.5 nC @ 2.5 V
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码