ALD1101PAL
零件编号：
ALD1101PAL
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
Advanced Linear Devices Inc.
描述：
MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
封装：
Tube
包装：
数量：
1644
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$10.81
$10.81
50
$5.99
$299.5
100
$5.53
$553
500
$4.95
$2475
安装类型
Through Hole
封装 / 外壳
8-DIP (0.300", 7.62mm)
零件状态
Active
供应商器件封装
8-PDIP
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
最大功率
500mW
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
配置
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
漏极至源极电压 (Vdss)
10.6V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
75Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1V @ 10µA
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