AS1M080120P
零件编号：
AS1M080120P
产品分类：
-
描述：
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装：
包装：
Tube
数量：
4
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$14.81
$14.81
30+
$8.99
$269.7
120+
$7.71
$925.2
510+
$7.46
$3804.6
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
36A (Tc)
供应商器件封装
TO-247-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
79 nC @ 20 V
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 5mA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
98mOhm @ 20A, 20V
最大栅源电压
+25V, -10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1475 pF @ 1000 V
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