AS2M040120P
零件编号：
AS2M040120P
产品分类：
-
描述：
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装：
包装：
Bulk
数量：
50
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$24.96
$24.96
30+
$15.86
$475.8
120+
$14.6
$1752
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
330W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 10mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+25V, -10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
55mOhm @ 40A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
142 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2946 pF @ 1000 V
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