连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
封装 / 外壳
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19 nC @ 15 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.5Ohm @ 500mA, 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
266 pF @ 1.2 kV