FL06100G
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$8.99
$8.99
10+
$3.29
$32.9
100+
$3.07
$307
3000+
$2.99
$8970
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
22A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
83W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
封装 / 外壳
4-PowerTSFN
最大栅源电压
15V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
51 nC @ 12 V
供应商器件封装
4-PDFN (8x8)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
100mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.5V @ 14mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1129 pF @ 400 V
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码