FL06250G
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起订量：1
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价格
总价
1+
$4.19
$4.19
10+
$1.54
$15.4
100+
$1.43
$143
3000+
$1.4
$4200
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
封装 / 外壳
4-PowerTSFN
最大栅源电压
15V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10.7A (Tc)
最大功耗
46.8W (Tc)
供应商器件封装
4-PDFN (8x8)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
330mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 6mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18.2 nC @ 12 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
436 pF @ 400 V
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