G01N20LE
零件编号：
G01N20LE
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2418
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.58
$0.58
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.15
$150
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
最大功耗
1.5W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
580 pF @ 25 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
700mOhm @ 1A, 10V
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