G16P03D3
零件编号：
G16P03D3
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
6580
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.1
$1.1
10
$0.69
$6.9
100
$0.45
$45
500
$0.34
$170
1000
$0.31
$310
2000
$0.28
$560
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
45A (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
最大功耗
55W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
12mOhm @ 10A, 10V
供应商器件封装
8-DFN (3.15x3.05)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2805 pF @ 15 V
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