G33N03D3
零件编号：
G33N03D3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
8728
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.31
$1.31
10
$0.82
$8.2
100
$0.54
$54
500
$0.42
$210
1000
$0.38
$380
2000
$0.35
$700
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 10V
供应商器件封装
8-DFN (3x3)
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
11mOhm @ 16A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
837pF @ 15V
最大功率
13W (Tc)
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