G65P06D5
零件编号：
G65P06D5
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2019
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.72
$1.72
10
$1.08
$10.8
100
$0.72
$72
500
$0.57
$285
1000
$0.52
$520
2000
$0.5
$1000
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.5V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
最大功耗
104W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
75 nC @ 10 V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
18mOhm @ 20A, 10V
供应商器件封装
8-DFN (4.9x5.75)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6138 pF @ 25 V
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