G6N02L
零件编号：
G6N02L
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
3300
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$0.48
$0.48
10
$0.29
$2.9
100
$0.19
$19
500
$0.14
$70
1000
$0.12
$120
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Tc)
最大栅源电压
±12V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
最大功耗
1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
11.3mOhm @ 3A, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1151 pF @ 15 V
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