GT55N06D5
零件编号：
GT55N06D5
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
封装：
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2895
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$1.33
$1.33
10
$0.84
$8.4
100
$0.55
$55
500
$0.43
$215
1000
$0.39
$390
2000
$0.36
$720
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
31 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
最大功耗
69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.4V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
45A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
9mOhm @ 14A, 10V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1085 pF @ 30 V
供应商器件封装
8-DFN (4.9x5.75)
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