IRFD9113
零件编号：
IRFD9113
产品分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
工作温度
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
场效应晶体管类型
P-Channel
供应商器件封装
4-HVMDIP
封装 / 外壳
4-DIP (0.300", 7.62mm)
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.6Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
250 pF @ 25 V
最大功耗
-
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