IV1Q12050T4
零件编号：
IV1Q12050T4
产品分类：
-
制造商：
描述：
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
封装：
包装：
Tube
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：120
数量
价格
总价
120+
$8.29
$994.8
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
58A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
120 nC @ 20 V
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+20V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.2V @ 6mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2750 pF @ 800 V
最大功耗
344W (Tc)
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