NC1M120C40HTNG
零件编号：
NC1M120C40HTNG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
NovuSem
描述：
SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4
封装：
Tube
包装：
数量：
1700
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 50
数量
价格
总价
50
$27.76
$1388
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
75A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.8V @ 10mA
最大栅源电压
+20V, -5V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
40mOhm @ 35A, 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2534 pF @ 1000 V
最大功耗
366W (Ta)
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