NC1M120C75GTNG
零件编号：
NC1M120C75GTNG
产品分类：
单 FET、MOSFET
制造商：
NovuSem
描述：
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3
封装：
Tube
包装：
数量：
4000
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 50
数量
价格
总价
50
$16.27
$813.5
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
47A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
20V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
75mOhm @ 20A, 20V
最大栅源电压
+20V, -5V
供应商器件封装
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.8V @ 5mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1450 pF @ 1000 V
最大功耗
288W (Ta)
最新产品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
移动端扫码