NH3T008MP120F2
零件编号：
NH3T008MP120F2
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
NoMIS Power
描述：
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
封装：
Tray
包装：
数量：
1609
RoHS 状态：
NO
库存
最小 : 1
数量
价格
总价
1
$163.9
$163.9
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
-
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
Module
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
200A (Tc)
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
技术
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 100mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
530nC @ 20V
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