TPD3215M
零件编号：
TPD3215M
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
Transphorm
描述：
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
封装：
Bulk
包装：
数量：
1600
RoHS 状态：
NO
PDF：
库存
最小 : 0
数量
价格
总价
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管特性
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
-
封装 / 外壳
Module
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
Module
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
70A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
600V
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
34mOhm @ 30A, 8V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2260pF @ 100V
最大功率
470W
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