AMR1K0V170E1
AMR1K0V170E1
AMR1K0V170E1
零件编号:
AMR1K0V170E1
产品分类:
-
制造商:
描述:
1700V 1000MR, TO247-3L, INDUSTRI
封装:
包装:
Tube
数量:
0
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
库存
起订量:1
数量
价格
总价
1+
$5.98
$5.98
30+
$3.33
$99.9
120+
$2.75
$330
510+
$2.32
$1183.2
1020+
$2.16
$2203.2
2010+
$2.03
$4080.3
5010+
$1.89
$9468.9
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-3
最大功耗
100W (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 500µA
漏极至源极电压 (Vdss)
1700 V
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.2Ohm @ 2A, 20V
供应商器件封装
TO-247-3L
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16.7 nC @ 20 V
最大栅源电压
+27V, -10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
227 pF @ 1000 V
最新产品
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-