CGD65A130S2-T13
零件编号：
CGD65A130S2-T13
产品分类：
-
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
3306
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$8.45
$8.45
10+
$5.73
$57.3
100+
$4.38
$438
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
场效应晶体管类型
-
场效应晶体管特性
Current Sensing
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
12V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.2V @ 4.2mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.3 nC @ 12 V
最大栅源电压
+20V, -1V
供应商器件封装
16-DFN (8x8)
封装 / 外壳
16-PowerVDFN
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