EPC2367ENGRT
零件编号：
EPC2367ENGRT
产品分类：
-
制造商：
描述：
TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
3572
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$7.58
$7.58
10+
$5.11
$51.1
100+
$3.79
$379
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
最大功耗
-
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
5V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17 nC @ 5 V
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
最大栅源电压
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 10mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
78A (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.2mOhm @ 30A, 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2170 pF @ 50 V
供应商器件封装
5-QFN (3.3x3.3)
封装 / 外壳
5-PowerWQFN
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