G1K1P10TE
零件编号：
G1K1P10TE
产品分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET P-CH 100V 24A 88W TO-220
封装：
包装：
Tube
数量：
50
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$1.52
$1.52
10+
$0.96
$9.6
100+
$0.64
$64
500+
$0.5
$250
1000+
$0.45
$450
2000+
$0.41
$820
5000+
$0.37
$1850
10000+
$0.35
$3500
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
最大功耗
88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
24A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
65 nC @ 10 V
供应商器件封装
TO-252
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
110mOhm @ 15A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3300 pF @ 50 V
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