HAT2114RJ-EL-E
零件编号：
HAT2114RJ-EL-E
产品分类：
-
描述：
NCH POWER MOSFET 60V 6A 32MOHM S
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：2500
数量
价格
总价
2500+
$4.75
$11875
零件状态
Last Time Buy
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
150°C
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
最大功率
2W
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
60V
供应商器件封装
8-SOP
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1000pF @ 10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
40Ohm @ 3A, 10V
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