驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4700 pF @ 15 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
封装 / 外壳
DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.35V @ 100µA
最大功耗
2.8W (Ta), 100W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
2.2mOhm @ 28A, 10V
供应商器件封装
DirectFET™ Isometric MX